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 La memoria Z-NAND riduce potenzialmente il gap con la memoria Optane di Intel
Le prestazioni della memoria di nuova generazione Z-NAND di Samsung potrebbero essere molto vicine a quelle ottenibili con la memoria Optane, basata sulla tecnologia 3D XPoint sviluppata in sinergia da Intel e Micron. E' questo il risultato di una analisi pubblicata dal sito The Register che ha messo a confronto le specifiche della unitą a stato...
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