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| Huawei prepara il lancio di un chip AI in grado di sfidare la GPU H100 di NVIDIA |
Huawei potrebbe essere prossima al lancio di un chip ad alte prestazioni in ambito AI, denominato Ascend 910C, al fine di competere con i prodotti analoghi proposti da NVIDIA nello strategico mercato cinese.
E' questo il punto saliente di un report pubblicato in origine dal Wall Street Journal e ripreso dal sito TrendForce. In accordo alla... |
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| ADATA mostra il drive SSD XPG PCIe GEN5 con cooler attivo e capacità fino a 8TB |
| Al CES 2023 ADATA ha mostrato il drive SSD denominato dal marketing XPG PCIe GEN5. Come si intuisce dalla denominazione commerciale del prodotto, si tratta di un drive a stato solido caratterizzato da una interfaccia PCI-Express 5.0 (x4).
Alla base di questo SSD, che è implementato in accordo al form factor M.2-2580 e supporta il protocollo... |
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| Micron introduce la linea di drive SSD 1300 basati su 3D NAND TLC a 96-layer |
| Micron ha ampliato il catalogo di unità a stato solido annunciando la linea di drive denominata 1300 SATA SSD. Le nuove unità di memorizzazione sono destinate a spingere in phase-out i prodotti appartenenti alla linea denominate 1100 3D NAND Client SATA SSD.
Gli SSD 1300 sono realizzati con l'ausilio di chip di memoria 3D NAND TLC a 96-layer... |
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| Crucial introduce il drive SSD da 2.5-inch BX500 con capacità di 960GB |
| Crucial ha ampliato di recente la linea di SSD da 2.5-inch denominata BX500 con una variante da 960GB (model number: CT960BX500SSD1) che si aggiunge alle versioni da 120GB, 240GB e 480GB già commercializzate da alcuni mesi.
Il drive SSD BX500 di Crucial con capacità pari a 960GB è realizzato con l'ausilio di chip di memoria 3D NAND a 64-layer... |
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| Samsung avvia la produzione in volumi dei chip di V-NAND a 96 layer da 256Gb |
| Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione in volume dei suoi chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione e caratterizzati da una capacità pari a 256Gb.
I nuovi chip di Samsung sono caratterizzati da una architettura che prevede l'utilizzo di 96 layer, ed è questa una specifica nettamente superiore a quella dei chip... |
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| Intel lavora sui nuovi SSD 610P basati su chip di 3D NAND Flash TLC |
| Intel sta lavorando per l'introduzione di una nuova linea di drive SSD con interfaccia PCIe denominata dal marketing 610P. La nuova serie di drive a stato solido è finalizzata a spingere in phase-out l'attuale linea 600P (che è collocata nel segmento performance), ed è realizzata in accordo al form-factor M.2-2280.
Oltre alla piena compatibilità... |
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| AMD introduce la linea di SSD Radeon R3 la cui capacità massima sfiora 1TB |
| AMD ha ampliato la propria gamma di unità SSD introducendo la linea deonominata Radeon R3. Si tratta di soluzioni progettate per la fascia entry level del mercato consumer, basate su chip di memoria NAND flash di tipo TLC, la cui gestione è affidata a un controller SM2256KX di Silicon Motion.
La linea di drive a stato solido Radeon R3 include... |
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| Prime specifiche degli SSD 540S di Intel basati su NAND TLC a 16nm |
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Alcune specifiche relative ai drive a stato solido, o SSD, mainstream della linea 540S in arrivo da Intel hanno raggiunto di recente il Web. Più in dettaglio, le caratteristiche degli SSD sono visualizzabili mediante un sito Web tedesco finalizzato alla comparazione dei prezzi dei prodotti informatici.
La linea di unità a stato solido 540S... |
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| Foxconn e Ericsson in partnership per lo sviluppo delle tecnologie 5G |
| Il produttore taiwanese Foxconn Electronics (Hon Hai Precision Industry) potrebbe dare il via a un rapporto di collaborazione con il fornitore europeo di sistemi di telecomunicazione e relativi servizi Ericsson, al fine di realizzare un centro di R&D (Research and Developement) dedicato allo sviluppo dello standard di nuova generazione per le telecomunicazioni... |
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| L'instabilità di alcuni iPhone 6 Plus non è legata alla memoria TLC? |
| Le problematiche evidenziate da alcuni possessori degli smartphone iPhone 6 Plus di Apple equipaggiati con memoria interna da 128GB non possono essere messe in relazione con la tecnologia impiegata per la realizzazione dello storage interno, che può contare su memoria NAND flash di tipo TLC (Triple-Level Cell).
La smentita arriva da fonti vicine... |
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