Samsung ha reso noto di aver dato il via alla produzione in volumi dei chip di memoria NAND flash da 256Gb, dotati di una struttura a tre dimensioni, che si estende in verticale (queste feature ne determinano la seguente denominazione compatta: 3D V-NAND) e include 48 layer, o strati, composti da celle di tipo MLC (Multi-Level-Cell) a 3-bit.
Ciascuno dei 48 strati dei nuovi chip firmati Samsung contiene, più in dettaglio, circa 1.8 miliardi di celle: ne consegue che ogni chip di memoria flash 3D V-NAND da 256Gb integra 85.3 miliardi di celle e può memorizzare fino a 256 miliardi di bit (3-bit x 85.3 miliardi di celle).
Rispetto ai chip di V-NAND da 128Gb, realizzati con 32 layer di celle MLC a 3-bit, i nuovi prodotti a 48 layer di Samsung possono vantare una riduzione del consumo di potenza a dir poco significativo, pari più in dettaglio al 30%, in corrispondenza di una memorizzazione identica dei dati.
I chip di memoria flash 3D V-NAND da 256Gb di Samsung sono finalizzati alla produzione di unità a stato solido (o SSD) aventi capacità dell'ordine dei terabyte e un costo per l'utente finale sufficientemente contenuto al fine di consentire la diffusione di tali unità di memorizzazione anche nel mercato consumer.
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