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Sul mercato il drive a stato solito da 240GB della Serie 330 di Intel
Il nuovo drive a stato solido della Serie 330 di Intel, caratterizzato da una capacità di 240GB, ha fatto il suo esordio in queste ore nel mercato nipponico, come mostrano le seguenti foto tratte da un reportage pubblicato dal sito Akiba-PC. Come già anticipato in questo documento, il nuovo SSD 330 di Intel è basato su un controller SF-2281...

Intel e Micron annunciano una NAND flash MLC da 128Gb
Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato in maniera congiunta la realizzazione di una device NAND Flash di tipo multilevel-cell (MLC) caratterizzata da una densità pari a 128Gb. In accordo ai chip maker, la nuova soluzione, il cui sviluppo è stato eseguito dalla joint venture IM Flash Technologies (IMFT) da essi composta, permette...

VIA Labs annuncia un memory controller USB 3.0 per NAND flash
Con il comunicato stampa di seguito allegato, VIA Labs ha annunciato la realizzazione del chip VL750, un memory controller di tipo "Super-Speed USB (USB 3.0) to NAND flash" a quattro canali, utilizzabile per connettere dei chip NAND flash, fabbricati a 20nm o a 30nm, a una interfaccia USB 3.0 (o USB 2.0). In accordo a VIA Labs, il nuovo controller...

Hynix avvia la produzione di chip di NAND Flash da 64Gb
Con il comunicato stampa di seguito allegato, Hynix Semiconductor ha reso noto di aver avviato la produzione in volumi, mediante un processo in tecnologia a 20nm, di chip di memoria NAND Flash aventi una densità pari a 64 Gigabit (Gb). I nuovi chip sono ottenuti con l'ausilio di una tecnologia proprietaria, sviluppata lo scorso febbraio....

Toshiba annuncia il primo modulo NAND flash al mondo da 128GB
Con il comunicato stampa di seguito allegato, Toshiba America Electronic Components ha reso noto di aver realizzato il primo modulo di memoria NAND flash al mondo dotato di una capacità di memorizzazione pari a 128GB.La device, per la quale è stata prevista inoltre una variante da 64GB, è compatibile con le specifiche JEDEC e-MMC 4.4 ed è finalizzata...

Samsung annuncia i chip di memoria NAND 8Gb OneNAND
Con il comunicato stampa di seguito allegato Samsung Electronics ha annunciato la disponibilità dei primi sample di un nuovo chip di memoria NAND, prodotto con tecnologia a 30nm e avente una densità di 8Gb (gigabit), denominato OneNAND. Si tratta di una soluzione sviluppata dal gigante coreano a partire da un design di tipo Single-Level-Cell...

Samsung realizza le prime SD basate su NAND MLC a 20nm
Con il comunicato stampa di seguito allegato, Samsung Electronics ha annunciato la realizzazione di chip di NAND MLC aventi una capacità di 32Gb (gigabit), prodotti in tecnologia a 20nm e destinati all'utilizzo per la fabbricazione di memory card di tipo Secure Digital (SD). In accordo al produttore, i nuovi chip di NAND MLC rendono possibile...

Il successo dell'iPhone sconvolge il settore della memoria NAND
Il successo commerciale della device iPhone di Apple sta innescando ripercussioni in tutto l'indotto legato alla componentistica elettronica necessaria per la sua produzione; tuttavia il settore dove è maggiormente sentito l'"effetto iPhone" è quello legato memoria flash basata sulla tecnologia di tipo NAND, impiegata da Apple per l'implementazione...

Samsung: avviata la produzione a 30nm di chip NAND a 3-bit
Samsung Electronics ha reso noto di aver avviato, a partire dalla parte finale del mese di Novembre, la produzione del primo lotto di chip di memoria NAND flash a 3-bit, caratterizzati da una architettura multi-level-cell (MLC), mediante il processo di fabbricazione a 30nm. In base al comunicato del produttore, i chip saranno impiegati per...

Produttori di memorie NAND flash: Micron supera Hynix nel Q109
In base ai risultati di uno studio pubblicati dall'affidabile DRAMeXchange, nel panorama dei produttori di memorie basate sulla tecnologia NAND flash è in crescita la posizione di Micron, maker già in grado di farsi storicamente notare per importanza e volumi nell'ambito delle memorie DRAM. Nel primo trimestre dell'anno fiscale 2009, Micron può...

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