Qualcomm ha annunciato ufficialmente il nuovo SoC high-end Snapdragon 835: la prossima soluzione flag-ship è realizzata con un processo di fabbricazione FinFET a 10nm ed è in grado, in accordo al produttore, di ridurre fino al 25% il consumo di potenza rispetto al SoC Snapdragon 820, pur essendo realizzato con un package più piccolo del 35%.
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