Samsung Electronics darà il via alla produzione in volumi dei chip di memoria DRAM con un processo di fabbricazione basato su una tecnologia proprietaria a 18nm nel corso del secondo trimestre del 2016.
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Lo si apprende da un report di Digital Times, una risorsa Web in lingua coreana segnalata dal sito taiwanese DigiTimes: in accordo alla fonte, inoltre, nel periodo compreso tra il 2016 e il 2020, Samsung svilupperà nuove tecnologie per la realizzazione dei chip di DRAM di nuova generazione con geometria a 15nm prima e a 10nm poi.
L'indicazione di Digital Times risulta essere in linea con un precedente report proveniente da DRAMeXchange, per cui siamo di fronte a uno scenario molto probabile. E che vede SK Hynix lievemente attardata, poichè quest'ultima dovrebbe avviare la produzione pilot dei chip a 18nm soltanto verso la fine del 2016.
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