Dopo l'annuncio, da parte di Samsung, dell'inizio della produzione in volumi dei chip di memoria GDDR6 da 16Gb, è arrivata la notizia che SK Hynix, un altro gigante coreano operante nel settore della fabbricazione delle memorie DRAM e NAND flash, ha ampliato il proprio catalogo con quattro chip di memoria GDDR6 da 8Gb.
E' interessante notare, inoltre, che in accordo alla pubblicazione di SK Hynix, i quattro differenti modelli di memoria GDDR6 da 8Gb, i quali risultato peraltro censiti mediante i part number H56C8H24MJR-S2C e H56C8H24MJR-S0C, sono commercialmente disponibili, per cui possono essere acquistati dai produttori dei dispositivi in grado di utilizzarli.
Più in dettaglio, con il part number H56C8H24MJR-S2C SK Hynix indica due differenti chip caratterizzati da un data transfer rate che è pari a 14Gbps in un caso e a 12Gbps nell'altro; in maniera analoga, con il part number H56C8H24MJR-S0C sono censiti due chip in grado di garantire una velocità massima pari a 12Gbps in un caso e a 10Gbps nell'altro.
Il chip H56C8H24MJR-S2C che lavora a 12Gbps è caratterizzato da un punto di polarizzazione pari a 1.25V mentre il prodotto corrispondente con part number H56C8H24MJR-S0C è meno efficiente energeticamente poichè la sua tensione di polarizzazione è pari a 1.35V.
A questo punto per l'arrivo delle prime speculazioni inerenti le video card di nuova generazione equipaggiate con un frame buffer realizzato mediante memoria video GDDR6 potrebbe essere una questione di giorni, se non di ore.
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