SK hynix ha annunciato che sta effettuando lo sviluppo della memoria HBM (High Bandwidth Memory) di quarta generazione denominata HBM3. Questa tecnologia, che si basa sull'idea di sovrapporre più chip di memoria DRAM, segue le precedenti implementazioni denominate HBM, HBM2 e HBME.
SK hynix osserva che il lavoro già svolto su HBM3, da un lato, e la produzione in volumi della memoria HBM2E, che l'azienda ha avviato dal lontando luglio 2020, sanciscono la leadership della stessa sul mercato.
SK hynix osserva che i chip di HBM3 saranno disponibili in due differenti capacità, pari rispettivamente a 16GB e 24GB: questi ultimi, osserva il produttore, possono vantare un'altezza pari a 30μm, il che equivale a 1/3 di quella di un foglio A4.
In termini prestazionali, i chip di HBM2E finora prodotti sono in grado di elaborare 819GB/s, ed in questo senso il salto rispetto all'attuale HBM2E è quantificabile in ben 78 punti percentuali.
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